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MDpicts pro高分辨率變溫少子壽命測(cè)試儀，系統(tǒng)能夠適用于各種不同材料和制備階段的測(cè)量，范圍從硅原料、裸晶圓到不同的制備階段，再到HgCdTe、CZT、InSb、HgCdSe、CdTe、GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體，可以研究電阻率高于0.3 Ω cm的單晶硅和多晶硅。

MDpicts pro 原位變溫缺陷能級(jí)表征系統(tǒng)，優(yōu)點(diǎn)是非接觸式，是一種對(duì)待測(cè)樣品無(wú)損傷和非破壞式的檢測(cè)手段，采用微波諧振微波腔來(lái)接收信號(hào)。由缺陷捕獲載流子的再發(fā)射引起的光電導(dǎo)率的變化可以通過(guò)微波吸收來(lái)檢測(cè)。MDPicts pro已成功用于分析各種具有半絕緣行為的化合物半導(dǎo)體。

MD picts溫度依賴型壽命測(cè)試系統(tǒng)，可檢測(cè)電阻率高于 0.3 Ω cm的單晶硅與多晶硅，重要聚焦缺陷、少子壽命及光電導(dǎo)的溫度依賴型測(cè)量，同時(shí)可檢測(cè)硅中的污染物及電活性晶體中的缺陷，具備微波光電導(dǎo)衰減瞬態(tài)（μPCD）和穩(wěn)態(tài)（MDP）測(cè)量功能。

HT picts高溫少子壽命測(cè)量系統(tǒng)，用于寬禁帶材料在高溫區(qū)間的非接觸、無(wú)損傷的溫度依賴型測(cè)量，涵蓋少子壽命、電學(xué)特性表征及深能級(jí)缺陷研究。（涵蓋瞬態(tài)模式μPCD、穩(wěn)態(tài)模式MDP、微波光電導(dǎo)等方法，符合SEMI PV9-1110 半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)）。

少子壽命測(cè)試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽(yáng)能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。

MDPmap單晶和多晶硅片壽命測(cè)量?jī)x被設(shè)計(jì)成一個(gè)緊湊的臺(tái)式非接觸電學(xué)表征工具，用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)，在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)（μ-PCD）下，在一個(gè)寬的注入范圍內(nèi)測(cè)量參數(shù)，如載流子壽命、光導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息。自動(dòng)化的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許輕松適應(yīng)各種不同的樣品，包括外延層和經(jīng)過(guò)不同制備階段的晶圓，從原生晶圓到高達(dá)95%的金屬化晶圓。